製品情報

ダイヤモンド固定砥粒パッドTOPX®

安定した研磨レートで、生産性向上に寄与します

特 長

  • 独自設計のパッド構造により、安定した研磨レートを達成
  • 研磨工程における加工時間を、固定砥粒方式により短縮
  • スラリーを用いる遊離砥粒方式に比べ、環境負荷、コストの低減に貢献
  • 長寿命のため、パッド交換頻度が減少
  • 研磨対象/加工時間/粗さ の各要求に合わせられる広い設計自由度

用 途

ガラス基板(結晶化、石英、硼珪酸、白板)、IC・パワーデバイス(Si、SiC)、
LED(サファイア)、5G・IoT(LiTaO3 )、ファインセラミックス(Al2O3)など

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  • 結晶化ガラス
  • 窒化アルミニウム
  • 合成石英ガラス
  • タンタル酸リチウム (LiTaO3)

Stock Removal Rate(µm/min)

Roughness (Ra/Rz) at Batch No.10

SRR(µm/min) Ra(µm) Rz(µm)
Coarse Particle 64.3 1.19 6.01
Middle Particle 20.9 0.23 1.49

■研磨条件 Lapping conditions

6B研磨機 荷重:100g/cm2 下定盤回転数:60rpm 研磨時間:3分
クーラント:水系 供給量:180ml/min
粗粒研磨前の基板表面状態 :鏡面
中間粒研磨前の基板表面状態:粗粒研磨後

Stock Removal Rate(µm/min)

Roughness (Ra/Rz) at Batch No.5

SRR(µm/min) Ra(µm) Rz(µm)
Coolant A 5.3 0.38 2.39
Coolant B 2.3 0.43 2.58

■研磨条件 Lapping conditions

6B研磨機 荷重:200g/cm2 下定盤回転数:20rpm 1バッチ取り代:30µm
クーラント:水溶性 供給量:250ml/min
研磨前の基板表面状態 :鏡面

Stock Removal Rate(µm/min)

Roughness (Ra)

SRR(µm/min) Ra(µm)
Fine Particle 7.6 0.103

■研磨条件

5B両面研磨機 荷重:100g/cm2 下定盤回転数:60rpm
クーラント:水溶性 供給量:120ml/min
研磨前の基板表面状態 :鏡面

Stock Removal Rate(µm/min)

Roughness (Ra)

SRR(µm/min) Ra(µm)
Middle Particle 12 0.22
Fine Particle 1.7 0.042

■研磨条件

5B両面研磨機 荷重:100g/cm2 下定盤回転数:90rpm
クーラント:水溶性 供給量:50ml/min
研磨前の基板表面状態 :Ra0.24μm ラップあがり

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